【大纪元7月29日报导】（中央社旧金山28日综合外电报导）英特尔（Intel）与美光科技公司（Micron Technology）今天发表1种新型记忆体晶片，据说速度比NAND Flash快1000倍，可能对运算装置、服务与应用带来革命性的变革。
法新社与彭博报导，总公司都设在美国的英特尔与美光表示，3D XPoint晶片是1989年NAND Flash（储存型快闪记忆体）上市之后，25年来市面首见的主流存储晶片，速度比NAND Flash快1000倍，储存资料的密度也比传统记忆体高出10倍，被誉为“重大突破”。
3D XPoint晶片已在制造之中，预计今年稍晚就能把样本送给潜在客户。
英特尔资深副总克罗希（Rob Crooke）表示：“数十年来，业界都在寻找降低处理器与资料间lag时间的方法，容许更快速的分析。”
“这种新等级的非挥发性记忆体达到这个目标，对记忆体与储存解决方案带来改变游戏规则的表现。”
