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【大紀元6月24日訊】隨著數位相機、攝影機的普及，密著型影像感測元件 (CIS，CMOS Image Sensor)市場需求攀升，台積電、聯電及力晶等晶圓廠紛紛調撥產能投產，並精進製程至0.25微米，搶攻此難度高但運用廣泛的元件市場。
据《經濟日報 》報導 , 今年以來半導體景氣下滑，台積電、聯電第二季產能利用率低至五成以下，為使產能充分利用，第一季開始陸續轉向LCOS(低溫單矽晶)及CIS生產，按照聯電的計劃，明年製程技術即可大幅提升到0.18微米。
另外，為整合CIS等顯像元件，台積電也規劃運用Fab7B(原德碁廠)空間，裝置彩色濾光片 (CF)機台，提供客戶完整的代工服務。
目前兩大晶圓代工廠的CIS客戶以美國廠商為主，包括Rockwell Science、35 Sys-tems、Photobit、OmniVision等，製程由以往的0.35微米，提升到0.18微米。
力晶半導體總經理蔡國智指出，CIS是顯像產品的核心元件，隨著PC、手機甚至運動器材等載具的搭載，以廣泛受到歐美市場重視; 由於晶片製造專業性高，且需要高效能的彩色濾光片 (CF)才能顯像，因此，CIS廠商多半以委外代工方式製造，以降低成本。OmniVision是力晶主要的CIS客戶，顯像產品廣泛用於消費市場，例如美國職業足球 (美式足球)球員頭盔上所裝設的微小攝影機，就是採用力晶生產的CIS晶片。
業者表示，去年第四季以來，PC、通訊及部分消費性產品需求大幅降低，台積電、聯電第二季的產能利用率不佳，因此，應用領域仍擴大中的CIS元件，遂成為代工廠的寵兒。
聯電技術長劉富台表示，聯電的CIS產品製程由去年的0.35微米，推進到今年的0.25微米，預計明年初升級到0.18微米，代工產品將趨於多元。
聯電表示，CIS、Micro-Display等高壓產品，必須運用特殊技術處理才能投片，包括耗電測試、防止高壓脆裂等措施，製造難度不遜於液晶顯示器 (LCD)驅動IC(Gate型)，加上彩色濾光片的技術，晶圓廠跨入的門檻不低。不過，聯電十分看好Micro-Display等新型顯像載具會因價格下降，而取代電視、CRT監視器，成為家用規格產品，因此，今年開始陸續提高代工比重。
另外，按照聯電設計藍圖，高壓產品的主力製程，去年已從0.5微米升級至0.35微米，今年還將提升到0.35微米(12V/18V)，並朝嵌入式IC發展，隨著數位顯像產品的加速成長，密著型影像感測元件 (CIS)需求逐漸增加，國內晶圓廠紛紛加入代工行列，以彌補PC晶片市場衰退所帶來的衝擊。
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