【大纪元2025年02月21日讯】（大纪元记者侯骏霖报导）韩国三星电子（Samsung Electronics）一名离职部长，因涉嫌向中国晶片商长鑫存储（CXMT）泄露半导体核心技术，日前在韩国法院一审判处有期徒刑7年，并科罚金2亿韩元（约新台币455.6万元）。
韩国《朝鲜日报》报导，金姓前三星电子部长被控违反《产业技术保护法》等嫌疑，首尔中央地方法院19日对其判决有期徒刑7年、罚款2亿韩元。另一名方姓合作企业员工，则被判处有期徒刑2年6个月。
检方最初要求对金某量刑20年，方某有期徒刑10年，主因调查发现，金某2016年从三星电子离职，跳槽到长鑫存储后，泄漏了半导体“沉积技术”及其他7个核心技术资料，并收受财务回报高达数百亿韩元。
金某在2024年1月又涉嫌将三星电子18奈米DRAM记忆体晶片的技术资料，非法转让给长鑫存储，被移交审判。判决指出，金某等人的罪行让晶片核心技术的受害公司，研发成本付诸流水，对韩国产业竞争力也造成重大负面影响，三星电子损失恐达“天文数字”。
此外，美国商务部1月15日将禁令升级，限制25奈米以上设备出口到中国。根据集邦科技近日发布的最新报告指出，应材、科林研发等美系半导体设备商已对禁令做出回应，于2月中撤出在长鑫存储北京及合肥厂的工程技术人员，预测将阻碍长鑫存储制程升级的脚步。
富邦投顾分析，原先长鑫存储2024年积极扩张LPDDR4X、DDR3市占率，韩系厂商也逐步减产相关产品线，但美国最新政策，使美国设备商不再替长鑫存储提供设备校正与维修服务，预期限缩中国成熟DRAM的供给成长，台湾DRAM厂南亚科、华邦电应有望受惠。
责任编辑：玉珍
