DRAM與模組廠 Q1獲利表現將不同調

【大紀元4月5日報導】(中央社記者張建中新竹5日電)動態隨機存取記憶體(DRAM)製造廠與記憶體模組第1季 (Q1)獲利表現將不同調；其中，DRAM廠第1季恐將持續虧損；記憶體模組廠獲利則可望顯著好轉。

儘管DRAM產業經歷長達2年不景氣，全球DRAM廠紛紛大幅度減產，供給銳減，只是受庫存情況嚴重影響，DRAM價格始終維持在製造廠現金成本下震盪。

根據集邦科技調查，DDR2 1Gb eTT(有效測試顆粒)於1、2月曾因奇夢達聲請破產保護，價格一度飆升至1.21美元，較去年底的0.87美元大漲近4成，但仍低於1.5美元製造廠現金成本。

另外，因終端市場需求依然疲軟，庫存情況嚴重，DDR2 1Gb eTT價格於2、3月再度回檔，甚至一度創下0.78美元今年新低價；目前維持在1美元左右震盪。

受產品價格依然低迷不振衝擊，美光第2季 (2008年12月5日至2009年3月5日)虧損7.51億美元，每股虧損0.97美元，國內包括力晶等DRAM廠第1季也將持續虧損，並持續減產，來降低虧損及資金流出。

即便力晶及海力士等DRAM廠預期，DRAM產業景氣谷底已過，其中，力晶甚至看好，下半年將出現缺貨情況；只是近期DRAM價格於1美元左右震盪，法人預料DRAM廠第2季仍將難以擺脫虧損窘境。

反觀記憶體模組廠，除了DRAM價格不再暴跌外，儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)價格高漲，營運可望隨著顯著好轉。

根據集邦科技調查，8Gb MLC價格自去年底的1.44美元，一度暴漲至3.22美元，漲幅高達1.23倍；目前8Gb MLC價格仍維持在3.13美元高檔水位。

勁永受惠於Flash低價庫存貢獻，1、2月已順利轉虧為盈，前2月稅後淨利達新台幣1.57億元，每股純益約0.62元，遠比去年第4季每股虧損2.91元佳，預期第1季獲利可望創下近10季來新高紀錄。

威剛也預期，第1季可望轉虧為盈。創見預期，第1季獲利可望較去年第4季成長2位數。

記憶體控制晶片廠群聯電子也看好第1季獲利，可望優於去年第4季的稅後淨利1.74億元，法人預估，群聯第1季每股純益可望挑戰3元水準。

模組廠表示，包括DRAM與Flash供應商在經歷長期營運虧損後，紛紛節制產出，以改善虧損情況，預料將有助於DRAM及Flash產品價格持穩，不致出現暴跌情況，模組廠應可維持穩定獲利狀態。