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【大紀元1月5日訊】（中央社記者何易霖新竹五日電）磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory，MRAM)利用具高敏感度的磁阻材料製造，是一種新式非揮發性(Non-Volatile)記憶體，具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗幅射線多項優點，被認為是最有可能量產的下一代記憶體技術。
MRAM可與現有的CMOS製程整合，適合崁入式記憶體 (embedded memory) 的應用，目前已有美、日、歐、韓等地國際廠商發表MRAM的研發成果及原型產品，包括先進行動數位、低耗能與高速運算及系統單晶片（SoC）產品應用。
由於市場潛力無窮，2002年底國際半導體技術藍圖（ITRS）將MRAM列為最有可能量產的下一代記憶體技術。
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