IBM在硅材料技術上取得重大突破

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【大紀元6月9日訊】 IBM本周五宣布，該公司在半導體硅材料技術方面取得的重大突破﹐不僅可以節約器件的功耗﹐同時也可使芯片運行的速度加快35%。

據天極網報道﹐全球最大的電腦生產商IBM還說，該公司已經研究出一种改變硅（建筑芯片的原材料）的尺寸的完美方法，這种方法可將硅拉長，從而達到加快電子在芯片上的晶體管內運行的速度。

据悉，新技術利用了化合物中原子相互聚合的特性。當硅沉積在由相互有間距的電子鋪成的基片上時，硅內部的原子同基片上的原子便相互聚合并排列起來，這樣硅受到張力之后便被拉長了。在被拉長的硅的內部，電子因為遇到的阻力很少因而可以加快70%的運行速度，從而導致芯片的運行速度加快35%。IBM的這种新技術就改變了以前靠縮小晶體管的大小加快芯片速度的做法。

IBM將在六月十三日在日本東京舉行的超大規模集成電路技術討論會上宣讀兩篇技術論文。IBM表示：該公司將在這兩篇論文中詳細陳述有關“拉長硅”技術突破的細節。IBM微電子學半導體發展部的副總裁Bijan Davari說，“IBM將在2003年之前生產出由“拉長硅”构成的芯片成品。并且，該項技術突破將使IBM在業內的這個領域至少在好几年內都處于領先地位。”(http://www.dajiyuan.com)

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